什么是LVDS器件,LVDS器件簡介 
LVDS器件簡介 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
    對于高速電路,尤其是高速數據總線,常用的器件 有:ECL、BTL、GTL和GTL 等。這些器件的工藝成熟,應用也較為廣泛,但都存在一個共同的弱點,即功耗大,此外,采用單端信號的BTL和GTL器件,電磁輻射也較強。現在,NS公司率先推出的CMOS工藝的低電壓差分信號器件(即Low Voltage Differencial Signal 簡稱LVDS )給了我們另一種選擇。 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
有:ECL、BTL、GTL和GTL 等。這些器件的工藝成熟,應用也較為廣泛,但都存在一個共同的弱點,即功耗大,此外,采用單端信號的BTL和GTL器件,電磁輻射也較強。現在,NS公司率先推出的CMOS工藝的低電壓差分信號器件(即Low Voltage Differencial Signal 簡稱LVDS )給了我們另一種選擇。 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
    LVDS器件是近年來National Semiconductor公司發展的一種高速傳輸芯片,它的傳輸機制是把TTL邏輯電平轉換成低電壓差分信號,以便于高速傳輸。與傳統的ECL邏輯相比,它采用CMOS工藝,它的電壓擺幅更低,只有400mv,ECL為800mv,動態功耗更小,(輸出電流3-5mA)只有ECL電路的1/7( 的數據傳輸量),低EMI,價格更低,因而具有很大的優勢,從97-98年首先在歐洲開始得到應用。目前,NS公司的LVDS器件有以下幾個系列:  《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
的數據傳輸量),低EMI,價格更低,因而具有很大的優勢,從97-98年首先在歐洲開始得到應用。目前,NS公司的LVDS器件有以下幾個系列:  《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
Channel Link,如:DS90CR285/6,DS90CR217/218 
Bus LVDS,如:DS92LV1021/1201 
Flat Panel Display (FPD)- link,如:DS90CF385/386 
Line Drive and Receiver (LD&Rs),如:DS90LV031A/032A 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
    LVDS器件的推出時間不長,目前,已經在歐美地區開始應用,據了解,國內目前尚沒有應用,但已有幾家公司在進行測試和試用。現有的LVDS器件單對差分線所能傳輸的最大速率為400-600M左右,據悉NS公司正在開發速率為1G的芯片組。 公司,如TI、朗訊,都有各自的LVDS類型的芯片。3M公司則開發了LVDS信號專用的雙絞電纜和接插件。LVDS器件主要用途為:電纜或PCB傳輸(點對點)、總線傳輸(BLVDS)、平板顯示器(FPD)等,傳輸速率在400M-600M,今后的LVDS器件的速度將會提高到1G,速度越來越快,品種也會越來越多。 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
公司,如TI、朗訊,都有各自的LVDS類型的芯片。3M公司則開發了LVDS信號專用的雙絞電纜和接插件。LVDS器件主要用途為:電纜或PCB傳輸(點對點)、總線傳輸(BLVDS)、平板顯示器(FPD)等,傳輸速率在400M-600M,今后的LVDS器件的速度將會提高到1G,速度越來越快,品種也會越來越多。 《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
    據目前掌握的資料,未來幾年,NS將推出單對差分線傳輸速率達千兆位的LVDS收發器、低延遲的LVDS時鐘信號緩沖器/驅動器,以及36X36LVDS信號的SWITCH芯片。 ,Ericsson 和Sony 公司已經推出傳輸速率超過1G的GLVDS器件。《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
,Ericsson 和Sony 公司已經推出傳輸速率超過1G的GLVDS器件。《版權聲明:本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
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