下,能射出的光只有入射角≤25.8度
空間立體角內(nèi)的光,據(jù)報(bào)導(dǎo),目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右,
,
芯片晶體的內(nèi)部吸收,能射出到晶體外面光線的比例很少。據(jù)報(bào)導(dǎo),目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣,芯片發(fā)出的光要透過封裝材料,傳送到空間,也要考慮材料對(duì)取光效率的影響。
,
提高LED產(chǎn)品封裝的取光效率,
提高n2的值,即提高封裝材料的折射率,以提高產(chǎn)品的臨界角,從而提高產(chǎn)品的封裝發(fā)光效率。
,封裝材料對(duì)光線的吸收要小。
提高出射光的比例,封裝的外形最好是拱形或半球形,這樣,光線從封裝材料射向空氣時(shí),幾乎是垂直射到界面,因而不再產(chǎn)生全反射。
主要有兩
,一是芯片內(nèi)部的反射
,二是封裝材料對(duì)光的反射,通過內(nèi)、外兩
的反射
,來提高從芯片內(nèi)部射出的光通比例,減少芯片內(nèi)部吸收,提高功率LED成品的發(fā)光效率。從封裝
,功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上,支架式的反射腔
是采取電鍍方式提高反射效果,而基板式的反射腔
是采用拋光方式,有條件的還會(huì)進(jìn)行電鍍
,但
兩種
方式受模具精度及工藝影響,
后的反射腔有
的反射效果,但并不理想。目前國(guó)內(nèi)制作基板式的反射腔,
拋光精度不足或金屬鍍層的氧化,反射效果較差,這樣導(dǎo)致
光線在射到反射區(qū)后被吸收,無法按預(yù)期的目標(biāo)反射至出光面,從而導(dǎo)致最終封裝后的取光效率偏低。
多
的研究和試驗(yàn),研制成一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的使用有機(jī)材料涂層的反射
工藝,通過這種工藝
,使得反射到載片腔內(nèi)的光線吸收很少,能將大部分射到其上面的光線反射至出光面。這樣
后的產(chǎn)品取光效率與
之前相比可提高30%-50%。我們目前1W白光功率LED的光效可達(dá)40-50lm/W(在遠(yuǎn)方PMS-50光譜分析測(cè)試儀器上測(cè)試結(jié)果),獲得了很好的封裝效果。
,發(fā)光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝
有關(guān)。
提高熒光粉激發(fā)藍(lán)色芯片的效率,首先熒光粉的選擇要合適,
激發(fā)波長(zhǎng)、顆粒度大小、激發(fā)效率等,需全面考核,兼顧各個(gè)性能。其次,熒光粉的涂覆要均勻,最好是
發(fā)光芯片各個(gè)發(fā)光面的膠層厚度均勻,以免因厚度不均造成局部光線無法射出,
也可改善光斑的質(zhì)量。
的散熱設(shè)計(jì)對(duì)提高功率型LED產(chǎn)品發(fā)光效率有著顯著的作用,
也是確保產(chǎn)品壽命和可靠性的前提。而設(shè)計(jì)
的出光通道,這里著重指反射腔、填充膠等的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇和工藝
,可以有效提高功率型LED的取光效率。對(duì)功率型白光LED
,熒光粉的選擇和工藝設(shè)計(jì),對(duì)光斑的改善和發(fā)光效率的提高也至關(guān)重要。本文由m.flswjt.cn整理提供,部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持
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